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2012年更新
カテゴリ
素材
キーワード
結晶工学 結晶成長学 固体物理学 計算機シミュレーション

一言アピール

分子動力学シミュレーションを用いて主に半導体材料の結晶成長メカニズム、材料物性について研究を行っています。


研究テーマ

  1. ●分子動力学シミュレーションによる結晶成長メカニズム、材料物性の解明 詳細資料
  2. ●GaNの気相及び溶液成長シミュレーション
  3. ●SiCの溶液成長シミュレーション、点欠陥の拡散挙動解析
  4. ●炭素材料(DLC,グラフェン)の成膜シミュレーション

※画像をクリックすると拡大します。

所属学会

●応用物理学会                      ●結晶成長学会

保有技術

●古典分子動力学シミュレーション

受賞

●日本結晶成長学会講演奨励賞(2005)

論文

●Molecular dynamics simulation of diffusion behavior of N atoms on the growth surface in GaN solution growth, Journal of Crystal Growth, 351 (2012) 32-3.
●Investigation of GaN Solution Growth Processes on Ga- and N-faces by Molecular Dynamics Simulation, Japanese Journal of Applied Physics, 51 (2012) 01AF06
●Thermal Conductivity of SiC Calculated by Molecular Dynamics, Japanese Journal of Applied Physics, 47 (2008) 8898-8901.
●Investigation of the thermal conductivity of a fullerene peapod by molecular dynamics simulation, Journal of Crystal Growth, 310 (2008) 2301-2305.
●Molecular dynamics simulation of thermal conductivity of GaN/AlN quantum dot superlattices, Physica Status Solidi (c), 4 (2007) 2289-2292.

関連ホームページ