2012年更新

保有技術

●窒化物半導体エピタキシャル成長(MOVPE,HVPE)　　　　　　●X線回折
●原子間力顕微鏡　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　●カソードルミネッセンス(CL)

保有機器・装置

●有機金属気相エピタキシャル成長装置 2台　　　　　　　　　●ハイドライド気相エピタキシャル成長装置 2台
●走査型電子顕微鏡　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　●カソードルミネッセンス装置
●電子線描画装置　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　●マスクアライナー
●反応性イオンエッチング装置　　　　　　　　　　　　　　　●ICPエッチング装置
●フォトルミネッセンス評価装置　　　　　　　　　　　　　　●電子線蒸着装置
●ホール測定評価装置

応用分野

●半導体産業全般(半導体の結晶成長、プロセス、光・電子デバイス応用に関するもの)
●ディスプレイ分野　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　●医療機器分野
●照明機器分野

特許

●特開2010-212458　化合物半導体層構造の製造方法
●特開2006-347863　3-5族窒化物半導体積層基板、3-5族窒化物半導体自立基板の製造方法、及び半導体素子
●特開2006-321705　AIN単結晶膜の作製方法
●特開2006-213551　カーボンナノチューブ成長方法
●特開2006-013476　3-5族化合物半導体とその製造方法および半導体素子
●特開2005-353680　エピタキシャル基板、半導体積層構造、およびエピタキシャル基板の製造方法
●特許3749454　　　GaN単結晶の製造方法
●特開2005-099707　透過型光学素子及びその製造方法、並びに投影露光装置
●特開2004-363251　3-5族化合物半導体とその製造方法
●特開2004-273661　窒化ガリウム単結晶基板の製造方法
●特開2004-182537　ナノカーボン材料配列構造の形成方法　　　　　　　　　　他 合計 出願80件（登録21件）以上

その他社会活動

●電子情報通信学会電子部品･材料研究専門委員会･委員 (1999～)
●応用物理学会応用電子物性分科会 幹事 (1995-2010)
●三重県産業支援センター　三重･伊勢湾都市エリア産学官連携促進会議･委員 (2004-2007)
●三重県産業支援センター　みえ新産業創造･交流会事業｢液晶ディスプレイ技術研究会｣ (2003-2005)
●第5回窒化物半導体国際会議 実行委員長 (2002-2003)
●応用物理学会 編集委員 (1993-2003)

審査委員など

●科学研究費助成事業　　　　　　　　　　　　　　　　　　　●NEDO各種事業
●JST研究成果展開事業　　　　　　　　　　　　　　　　　　●三重県工業研究所研究評価

受賞

●中国科学院半導体研究所名誉教授(2007)　　　　　　　　　　●日本結晶学会論文賞(2007)
●1st P&I Patent Contest, P&I Patent of the Year(2004)　　 ●JJAP Editorial Contribution Awards(2003)

論文

GaN系の窒化物半導体の結晶成長、デバイス応用に関する研究を中心に、論文250編以上
●MOVPE法による高品質AlGaN薄膜に関する研究 (2001 ～ 現在)
　・Y.Kida, T.Shibata, H.Miyake and K. Hiramatsu, "Metalorganic vapor phase epitraxy growth and study of
　　stress in AlGaN using epitaxial AlN as underlying layer". Japan. J. Appl. Phys., 42, L572-L574 (2003)
　・T.Shibata, Y.Kida, H.Miyake, K.Hiramatsu, Y.Hori, K.Asai, T.Nagai, S.Sumiya. M.Tanaka and O.Oda, "New
　　buffer layer technique using underlying epitaxial AlN films for high-quality GaN growth". Comp. Semi. 2001
　　Inst. Phys. Conf. Ser, 170, 795-800 (2002)
●MOVPE法によるGaNの選択成長とファセット制御に関する研究 (1992 ～ 現在)
　・K.Hiramatsu, K.Nishiyama, M.Onishi, H.Mizutani, M.Narukawa, A.Motogaito, "Fabrication and characterization
　　of low defect density GaN using facet-controlled epitaxial lateral overgrowth (FACELO)". H.Miyake, Y.Iyechika
　　and T.Maeda, J. of Crystal Growth 221, 316-326 (2000)
　・Yoshiki Kato, Shota Kitamura, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki "Selective growth of wurtzite GaN
　　 and AlGaN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy". J. Crystal Growth, 144, 133-
　　140 (1994)
●HVPE法によるGaN厚膜成長に関する研究 (1988 ～ 2002)
　・K.Hiramatsu, T.Detchprohm and I.Akasaki, "Relaxation mechanism of thermal stresses in the heterostructure
　　of GaN grown on sapphire by vapor phase epitaxy". Japan J. Appl. Phys., 32, 1528-1533 (1993)
　・T.Detchprohm, K.Hiramatsu, H.Amano, and I.Akasaki, "Hydride vapor phase epitaxial growth of a high
　　quality GaN film using a ZnO buffer layer". Appl. Phys. Lett., 61, 2688-2690 (1992)
●MOVPE法によるGaNの結晶成長に関する研究 (1986 ～ 1992)
　・K.Hiramatsu, H.Amano and I.Akasaki, "Growth mechanism of GaN grown on sapphire with AlN buffer layer
　　by MOVPE". J. Crystal Growth, 115, 628-633 (1991)

著書

●"半導体工学"　オーム社(2009 編者、共著)
●"白色LED照明システムの高輝度･高効率･長寿命化技術"　技術情報協会(2003 共著)
●"インターユニバーシティ　電子物性"　オーム社(2002 共著)
●"アドバンスト･エレクトロニクスシリーズI-21　III族窒化物半導体"　培風館(1999 共著)　　　　　他 多数

講演実績

●窒化物半導体関連国際会議　　　　　　　　　　　　　　　　●応用物理学会
●日本結晶成長学会 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　その他 多数発表

関連ホームページ

• 三重大学工学研究科オプトエレクトロニクス研究室
• 三重大学極限ナノエレクトロニクスセンター(公式サイト）
• 三重大学リサーチセンター
• 三重大学工学部技術移転テーマ集